E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 165-7076Κατασκευαστής: VishayΚωδικός Κατασκευαστή: SIS468DN-T1-GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

ThunderFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.1 nC @ 10 V

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 2.490,00

€ 0,83 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3.087,60

€ 1,029 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3

€ 2.490,00

€ 0,83 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 3.087,60

€ 1,029 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

N-Channel MOSFET, 30 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 Vishay SIS468DN-T1-GE3
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

30 A

Maximum Drain Source Voltage

80 V

Series

ThunderFET

Package Type

PowerPAK 1212-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Gate Threshold Voltage

1.5V

Maximum Power Dissipation

52 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Width

3.4mm

Number of Elements per Chip

1

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Transistor Material

Si

Length

3.4mm

Typical Gate Charge @ Vgs

18.1 nC @ 10 V

Height

1.12mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Λεπτομέρειες Προϊόντος

N-Channel MOSFET, Medium Voltage/ThunderFET®, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more