Vishay N-Channel MOSFET, 150 A, 80 V, 3-Pin TO-220AB SUP60020E-GE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.65mm
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
151.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
9.01mm
€ 139,50
€ 2,79 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 172,98
€ 3,46 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 139,50
€ 2,79 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 172,98
€ 3,46 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
150 A
Maximum Drain Source Voltage
80 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.65mm
Length
10.51mm
Typical Gate Charge @ Vgs
151.2 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.5V
Height
9.01mm