E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 5.2 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7

Κωδικός Προϊόντος της RS: 121-9597Κατασκευαστής: DiodesZetexΚωδικός Κατασκευαστή: DMC2038LVT-7
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

2.1 A, 5.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

TSOT-26

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

56 mΩ, 168 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Width

1.65mm

Length

2.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.9mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 480,00

€ 0,16 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 595,20

€ 0,198 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 5.2 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7

€ 480,00

€ 0,16 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 595,20

€ 0,198 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N/P-Channel MOSFET, 2.1 A, 5.2 A, 20 V, 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N, P

Maximum Continuous Drain Current

2.1 A, 5.2 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

TSOT-26

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

56 mΩ, 168 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

1.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Width

1.65mm

Length

2.95mm

Typical Gate Charge @ Vgs

12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.9mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more