Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A, 5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
TSOT-26
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ, 168 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Width
1.65mm
Length
2.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 96,00
€ 0,16 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 119,04
€ 0,198 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
600
€ 96,00
€ 0,16 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 119,04
€ 0,198 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
600
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
600 - 1450 | € 0,16 | € 8,00 |
1500+ | € 0,10 | € 5,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N, P
Maximum Continuous Drain Current
2.1 A, 5.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
TSOT-26
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
56 mΩ, 168 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
1.1 W
Transistor Configuration
Isolated
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 10 V, 14 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
2
Width
1.65mm
Length
2.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.9mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος