E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 1.33 A, 20 V, 6-Pin SOT-563 DMN2400UV-7

Κωδικός Προϊόντος της RS: 169-0688Κατασκευαστής: DiodesZetexΚωδικός Κατασκευαστή: DMN2400UV-7
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.33 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-563

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

530 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Width

1.25mm

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.5 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 480,00

€ 0,16 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 595,20

€ 0,198 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 1.33 A, 20 V, 6-Pin SOT-563 DMN2400UV-7

€ 480,00

€ 0,16 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 595,20

€ 0,198 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α

Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET, 1.33 A, 20 V, 6-Pin SOT-563 DMN2400UV-7
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

1.33 A

Maximum Drain Source Voltage

20 V

Package Type

SOT-563

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance

1.5 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0.9V

Maximum Power Dissipation

530 mW

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-12 V, +12 V

Number of Elements per Chip

2

Width

1.25mm

Length

1.7mm

Typical Gate Charge @ Vgs

0.5 nC @ 4.5 V

Transistor Material

Si

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

0.6mm

Χώρα Προέλευσης

China

Λεπτομέρειες Προϊόντος

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more