Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
50
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NexperiaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 mA
Maximum Drain Source Voltage
55 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.3V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
700 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
1 nC @ 8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
2.2mm
Width
1.35mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Height
1mm
Χώρα Προέλευσης
Malaysia