
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
280mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
21.5nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 120,00
€ 2,40 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 148,80
€ 2,976 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
€ 120,00
€ 2,40 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 148,80
€ 2,976 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
50
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
|---|---|---|
| 50 - 245 | € 2,40 | € 12,00 |
| 250 - 495 | € 2,38 | € 11,90 |
| 500+ | € 2,24 | € 11,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
280mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
21.5nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος