Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 9,40
€ 0,94 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,66
€ 1,166 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
10
€ 9,40
€ 0,94 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 11,66
€ 1,166 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
10 - 20 | € 0,94 | € 9,40 |
30+ | € 0,89 | € 8,90 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
20 A
Maximum Drain Source Voltage
250 V
Package Type
TO-220SIS
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.5V
Maximum Power Dissipation
45 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.5mm
Length
10mm
Typical Gate Charge @ Vgs
55 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Forward Diode Voltage
1.7V
Height
15mm
Χώρα Προέλευσης
Japan
Λεπτομέρειες Προϊόντος