Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
126 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
MOSFET Transistors, Toshiba
€ 8,35
€ 1,67 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,35
€ 2,071 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 8,35
€ 1,67 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,35
€ 2,071 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ToshibaChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
90 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
TK
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Maximum Power Dissipation
126 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.45mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
15.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος