Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

Κωδικός Προϊόντος της RS: 178-3916Κατασκευαστής: Vishay SiliconixΚωδικός Κατασκευαστή: SQJA76EP-T1_GE3
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

€ 15,10

€ 1,51 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 18,72

€ 1,872 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3
Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10€ 15,10
20€ 30,20
30€ 45,30
40€ 60,40
50€ 75,50
60€ 90,60
70€ 105,70
80€ 120,80
90€ 135,90
100€ 120,00
110€ 132,00
120€ 144,00
130€ 156,00
140€ 168,00
150€ 180,00

€ 15,10

€ 1,51 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 18,72

€ 1,872 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 75 A, 40 V, 4-Pin PowerPAK SO-8L SQJA76EP-T1_GE3

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard

Επιλέγξτε συσκευασία

Standard - each

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Παραγωγή -

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10.

Συνιστάται για παραγγελίες σε μεγάλες ποσότητες. Τα είδη συσκευάζονται έτοιμα για εισαγωγή σε μηχανήματα, επιτρέποντάς σας να βελτιώσετε την αποδοτικότητα της παραγωγής

10

Διατίθεται σε πολλαπλάσια από 10
10€ 15,10
20€ 30,20
30€ 45,30
40€ 60,40
50€ 75,50
60€ 90,60
70€ 105,70
80€ 120,80
90€ 135,90
100€ 120,00
110€ 132,00
120€ 144,00
130€ 156,00
140€ 168,00
150€ 180,00

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
10 - 90€ 1,51€ 15,10
100 - 490€ 1,20€ 12,00
500 - 990€ 1,02€ 10,20
1000+€ 0,89€ 8,90

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Brand

Vishay Siliconix

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

75 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

TrenchFET

Package Type

PowerPAK SO-8L

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance

5 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.5V

Minimum Gate Threshold Voltage

3.5V

Maximum Power Dissipation

66 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

±20 V

Number of Elements per Chip

1

Length

5.99mm

Typical Gate Charge @ Vgs

66 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Width

5mm

Transistor Material

Si

Automotive Standard

AEC-Q101

Height

1.07mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Χώρα Προέλευσης

China

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more