Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 60,00
€ 1,20 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 74,40
€ 1,488 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 60,00
€ 1,20 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 74,40
€ 1,488 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,20 | € 60,00 |
100 - 200 | € 1,15 | € 57,50 |
250+ | € 1,10 | € 55,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
14 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
160 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
88 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Typical Gate Charge @ Vgs
26 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος