Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 84,25
€ 3,37 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 104,47
€ 4,179 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
25
€ 84,25
€ 3,37 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 104,47
€ 4,179 Μονάδας (Σε μία ράγα των 25) Με Φ.Π.Α
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
25 - 25 | € 3,37 | € 84,25 |
50 - 100 | € 3,34 | € 83,50 |
125+ | € 3,21 | € 80,25 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
30 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Package Type
TO-247AC
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
85 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
190 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
5.31mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.87mm
Typical Gate Charge @ Vgs
140 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος