Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.86mm
Length
1.68mm
Typical Gate Charge @ Vgs
750 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 8V to 25V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 630,00
€ 0,21 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 781,20
€ 0,26 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 630,00
€ 0,21 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 781,20
€ 0,26 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
200 mA
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SC-75
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
9 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
0.4V
Maximum Power Dissipation
280 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +6 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.86mm
Length
1.68mm
Typical Gate Charge @ Vgs
750 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
0.8mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος