Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
62 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
810 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 96,00
€ 0,16 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 119,04
€ 0,198 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
600
€ 96,00
€ 0,16 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 119,04
€ 0,198 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
600
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
600 - 1450 | € 0,16 | € 8,00 |
1500+ | € 0,13 | € 6,50 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.6 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
62 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
810 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
15.4 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος