Vishay Siliconix TrenchFET N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V, 8-Pin PowerPAK SO-8DC SiDR392DP-T1-GE3

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8DC
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
900 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
5.99mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.07mm
€ 6.420,00
€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 7.960,80
€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
€ 6.420,00
€ 2,14 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 7.960,80
€ 2,654 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) Με Φ.Π.Α
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Vishay SiliconixChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
PowerPAK SO-8DC
Series
TrenchFET
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
900 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
+20 V, +6 V
Typical Gate Charge @ Vgs
125 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
5.99mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.1V
Height
1.07mm