Vishay N-Channel MOSFET, 10 A, 400 V, 3-Pin TO-220AB IRF740PBF

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


€ 2,82
€ 2,82 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,50
€ 3,50 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
€ 2,82
€ 2,82 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3,50
€ 3,50 Μονάδας Με Φ.Π.Α
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 2,82 |
10 - 49 | € 2,51 |
50 - 99 | € 2,40 |
100 - 249 | € 2,30 |
250+ | € 2,19 |


Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
10 A
Maximum Drain Source Voltage
400 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
550 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
125 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Typical Gate Charge @ Vgs
63 nC @ 10 V
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.41mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
9.01mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 300V to 400V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

