Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.45 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V to 150V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
VishayChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.15 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.4 Ω
Channel Mode
Enhancement
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3.04mm
Width
1.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.45 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.02mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος