Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
113 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel MOSFET, 12V to 25V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 10,00
€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,40
€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
Standard
100
€ 10,00
€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12,40
€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 100) Με Φ.Π.Α
Standard
100
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
100 - 500 | € 0,10 | € 10,00 |
600 - 1400 | € 0,10 | € 10,00 |
1500+ | € 0,08 | € 8,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.2 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
113 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
1.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Typical Gate Charge @ Vgs
7.6 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.1mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος