Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
ThinPAK 8 x 8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
12 A
Maximum Drain Source Voltage
650 V
Series
CoolMOS™ C7
Package Type
ThinPAK 8 x 8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si