Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
280mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
21.5nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
€ 12,15
€ 2,43 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,07
€ 3,013 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Standard
5
€ 12,15
€ 2,43 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,07
€ 3,013 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
5
| Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
|---|---|---|
| 5 - 45 | € 2,43 | € 12,15 |
| 50 - 245 | € 2,40 | € 12,00 |
| 250 - 495 | € 2,38 | € 11,90 |
| 500+ | € 2,24 | € 11,20 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsProduct Type
MOSFET
Channel Type
Type N
Maximum Continuous Drain Current Id
13A
Maximum Drain Source Voltage Vds
650V
Package Type
TO-263
Series
MDmesh M2
Mount Type
Surface
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance Rds
280mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation Pd
110W
Minimum Operating Temperature
-55°C
Typical Gate Charge Qg @ Vgs
21.5nC
Forward Voltage Vf
1.6V
Maximum Operating Temperature
150°C
Height
4.6mm
Length
10.4mm
Standards/Approvals
No
Automotive Standard
No
Λεπτομέρειες Προϊόντος