Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.75mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 100,50
€ 2,01 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 124,62
€ 2,492 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 100,50
€ 2,01 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 124,62
€ 2,492 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
18 A
Maximum Drain Source Voltage
200 V
Series
STripFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
28 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
15.75mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος