Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.65mm
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.35mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 12V to 28V, Diodes Inc
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
€ 1.000,00
€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 10000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.240,00
€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 10000) Με Φ.Π.Α
10000
€ 1.000,00
€ 0,10 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 10000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.240,00
€ 0,124 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 10000) Με Φ.Π.Α
10000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
DiodesZetexChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
1.3 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Package Type
X2-DFN1006
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
500 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
0.95V
Maximum Power Dissipation
500 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Width
0.65mm
Length
1.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
1.6 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
0.35mm
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος