E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R072M1HXUMA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 284-729Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IMT65R072M1HXUMA1
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 13,99

€ 13,99 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 17,35

€ 17,35 Μονάδας Με Φ.Π.Α

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R072M1HXUMA1
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 13,99

€ 13,99 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 17,35

€ 17,35 Μονάδας Με Φ.Π.Α

Infineon SiC N-Channel MOSFET, 36 A, 650 V, 8-Pin PG-HSOF-8 IMT65R072M1HXUMA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδας
1 - 9€ 13,99
10 - 99€ 12,79
100 - 499€ 11,98
500 - 999€ 11,28
1000+€ 10,26

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

36 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolSiC MOSFET 650 V G1

Package Type

PG-HSOF-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Channel Mode

Enhancement

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

SiC

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more