Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
TO 263
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
11.05mm
Length
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.57mm
€ 4.330,00
€ 4,33 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.369,20
€ 5,369 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
1000
€ 4.330,00
€ 4,33 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 5.369,20
€ 5,369 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 1000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
1000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
176 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
TO 263
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
2.5 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
11.05mm
Length
10.31mm
Typical Gate Charge @ Vgs
168 nC @ 10 V
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
4.57mm