Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 214-9062Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IPG20N06S4L11AATMA1
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 18,80

€ 1,88 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 23,31

€ 2,331 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 18,80

€ 1,88 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 23,31

€ 2,331 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 10) Με Φ.Π.Α

Infineon OptiMOS™ -T2 Dual N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V, 8-Pin SuperSO8 5 x 6 Dual IPG20N06S4L11AATMA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
10 - 40€ 1,88€ 18,80
50 - 90€ 1,83€ 18,30
100 - 240€ 1,78€ 17,80
250 - 490€ 1,72€ 17,20
500+€ 1,62€ 16,20

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

20 A

Maximum Drain Source Voltage

60 V

Package Type

SuperSO8 5 x 6 Dual

Series

OptiMOS™ -T2

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

0.0112 O

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

2

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more