Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
TO-220
Series
OptiMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.57mm
Length
10.36mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
11.17mm
€ 15,46
€ 7,73 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,17
€ 9,585 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
2
€ 15,46
€ 7,73 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 19,17
€ 9,585 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
2 - 8 | € 7,73 | € 15,46 |
10 - 18 | € 7,47 | € 14,94 |
20 - 48 | € 6,60 | € 13,20 |
50 - 98 | € 6,21 | € 12,42 |
100+ | € 5,82 | € 11,64 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
150 V
Package Type
TO-220
Series
OptiMOS™
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
7.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
300 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Typical Gate Charge @ Vgs
70 nC @ 10 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.57mm
Length
10.36mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
11.17mm