Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1

Κωδικός Προϊόντος της RS: 222-4707Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IPP65R110CFDAAKSA1
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 20,62

€ 10,31 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 25,57

€ 12,784 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 20,62

€ 10,31 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 25,57

€ 12,784 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α

Infineon CoolMOS™ Silicon N-Channel MOSFET, 31.2 A, 650 V, 3-Pin TO-220 IPP65R110CFDAAKSA1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Πακέτο
2 - 8€ 10,31€ 20,62
10 - 18€ 9,21€ 18,42
20 - 48€ 8,72€ 17,44
50 - 98€ 8,30€ 16,60
100+€ 7,78€ 15,56

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current

31.2 A

Maximum Drain Source Voltage

650 V

Series

CoolMOS™

Package Type

TO-220

Mounting Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

0.11 Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

4.5V

Number of Elements per Chip

1

Transistor Material

Silicon

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more