Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
10.58mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
169 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
€ 9.720,00
€ 4,86 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12.052,80
€ 6,026 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) Με Φ.Π.Α
2000
€ 9.720,00
€ 4,86 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 12.052,80
€ 6,026 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2000) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
2000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
InfineonChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
300 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
OptiMOS™ 5
Package Type
HSOF-8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.8V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.2V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
20 V
Width
10.58mm
Number of Elements per Chip
1
Length
10.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
169 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V