Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF

Κωδικός Προϊόντος της RS: 737-7307Κατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: IRF9362PBF
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF
€ 0,62Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF
Επιλέγξτε συσκευασία

P.O.A.

Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC Infineon IRF9362PBF
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF
€ 0,62Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Package Type

SOIC

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

32 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.4V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.3V

Maximum Power Dissipation

2 W

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Gate Source Voltage

-20 V, +20 V

Typical Gate Charge @ Vgs

26 nC @ 10 V

Number of Elements per Chip

2

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Length

5mm

Width

4mm

Transistor Material

Si

Series

HEXFET

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

1.5mm

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Μπορεί να σας ενδιαφέρει
Infineon HEXFET Dual P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SOIC IRF9362TRPBF
€ 0,62Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α