E-shop

Τα προϊόντα μας αποστέλλονται από διάφορες διεθνείς αποθήκες, με την κύρια αποθήκη μας να βρίσκεται στο Ηνωμένο Βασίλειο, διασφαλίζοντας γρήγορη και ασφαλή παράδοση σε εσάς.

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF

Κωδικός Προϊόντος της RS: 171-1913PΚατασκευαστής: InfineonΚωδικός Κατασκευαστή: SI4435DYTRPBF
brand-logo
Προβολή όλων σε MOSFETs

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Power Gain

0

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

€ 9,40

€ 0,94 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 11,66

€ 1,166 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Επιλέγξτε συσκευασία

€ 9,40

€ 0,94 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α

€ 11,66

€ 1,166 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α

Infineon P-Channel MOSFET, 8 A, 30 V, 8-Pin SO-8 SI4435DYTRPBF
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Επιλέγξτε συσκευασία

Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη

Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.

Quantity ΠοσότηταΤιμή μονάδαςPer Καρούλι
10 - 90€ 0,94€ 9,40
100 - 240€ 0,91€ 9,10
250 - 490€ 0,89€ 8,90
500 - 990€ 0,86€ 8,60
1000+€ 0,81€ 8,10

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Τεχνικό φυλλάδιο

Προδιαγραφές

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Maximum Drain Source Voltage

30 V

Series

Si4435DYPbF

Package Type

SO-8

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance

35 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

0

Minimum Gate Threshold Voltage

1V

Maximum Power Dissipation

2.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

20 V

Width

4mm

Number of Elements per Chip

1

Length

5mm

Typical Gate Charge @ Vgs

40 nC @ 10 V

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Height

1.5mm

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Forward Diode Voltage

1.2V

Typical Power Gain

0

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more