P-Channel MOSFET Transistor, 4.3 A, 12 V, 3-Pin SOT-23 International Rectifier IRLML6401

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 5 V
Width
1.4mm
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
5
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Channel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
4.3 A
Maximum Drain Source Voltage
12 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
125 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Power Dissipation
1.3 W
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.05mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 5 V
Width
1.4mm
Series
HEXFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm