Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.3mm
Width
4.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET, 100V and Higher, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
5
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 5) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
NXPChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Package Type
TO-220AB
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
72 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
98 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-15 V, +15 V
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Length
10.3mm
Width
4.7mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
9.4mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος