Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Standard
25
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 25) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ON SemiconductorChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm