Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel Power MOSFET, 60V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 168,00
€ 0,84 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 208,32
€ 1,042 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
€ 168,00
€ 0,84 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 208,32
€ 1,042 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
200
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
200 - 480 | € 0,84 | € 16,80 |
500+ | € 0,73 | € 14,60 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Package Type
DFN
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
5
Maximum Drain Source Resistance
13 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
46 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.1mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
5.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
9.5 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
1.05mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Λεπτομέρειες Προϊόντος