Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
554.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFNW8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
660 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
245.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
8mm
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
126 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.15mm
€ 13,20
€ 6,60 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,37
€ 8,184 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
€ 13,20
€ 6,60 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,37
€ 8,184 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
2 - 18 | € 6,60 | € 13,20 |
20 - 198 | € 5,79 | € 11,58 |
200 - 998 | € 5,09 | € 10,18 |
1000 - 1998 | € 4,54 | € 9,08 |
2000+ | € 4,18 | € 8,36 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
554.5 A
Maximum Drain Source Voltage
40 V
Package Type
DFNW8
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
660 μΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.2V
Maximum Power Dissipation
245.4 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±20 V
Number of Elements per Chip
1
Width
8mm
Length
8.1mm
Typical Gate Charge @ Vgs
126 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.2V
Height
1.15mm