Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel Power MOSFET, 8V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
€ 14,50
€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 17,98
€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Standard
50
€ 14,50
€ 0,29 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 17,98
€ 0,36 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ταινία) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Standard
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ταινία |
---|---|---|
50 - 50 | € 0,29 | € 14,50 |
100 - 200 | € 0,13 | € 6,50 |
250 - 450 | € 0,10 | € 5,00 |
500 - 950 | € 0,10 | € 5,00 |
1000+ | € 0,10 | € 5,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
onsemiChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
8 V
Package Type
SOT-23
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
120 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1V
Maximum Power Dissipation
960 mW
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
Si
Length
3.04mm
Typical Gate Charge @ Vgs
12 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
1.01mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος