Renesas BEAM N-Channel MOSFET, 50 A, 30 V, 8-Pin WPAK RJK0391DPA-00#J5A

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Renesas ElectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
BEAM
Package Type
WPAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
P.O.A.
Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Renesas ElectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
50 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Series
BEAM
Package Type
WPAK
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
0.0029 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Number of Elements per Chip
1