Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-21 V, +21 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Height
0.95mm
Χώρα Προέλευσης
Thailand
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 15) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
15
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 15) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
15
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
4 A
Maximum Drain Source Voltage
45 V
Package Type
TSMT
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
6
Maximum Drain Source Resistance
100 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
1.25 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-21 V, +21 V
Typical Gate Charge @ Vgs
10 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Width
1.8mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
3mm
Height
0.95mm
Χώρα Προέλευσης
Thailand
Λεπτομέρειες Προϊόντος