Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-3PFM
Series
SCT2H12NZ
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Forward Diode Voltage
4.3V
Height
21mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MOSFET Transistors, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 97,90
€ 9,79 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 121,40
€ 12,14 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
€ 97,90
€ 9,79 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 121,40
€ 12,14 Μονάδας (διαθέσιμο σε μία ράγα) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Ράγα)
10
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
ROHMChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
3.7 A
Maximum Drain Source Voltage
1700 V
Package Type
TO-3PFM
Series
SCT2H12NZ
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
1.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
1.6V
Maximum Power Dissipation
35 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-6 V, +22 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5mm
Length
16mm
Typical Gate Charge @ Vgs
14 nC @ 18 V
Forward Diode Voltage
4.3V
Height
21mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος