Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1000 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
€ 68,00
€ 1,36 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 84,32
€ 1,686 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
50
€ 68,00
€ 1,36 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 84,32
€ 1,686 Μονάδας (Σε μία ράγα των 50) Με Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
50
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Ράγα |
---|---|---|
50 - 50 | € 1,36 | € 68,00 |
100+ | € 1,04 | € 52,00 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsTransistor Type
NPN
Maximum DC Collector Current
500 mA
Maximum Collector Emitter Voltage
450 V
Package Type
SOT-32
Mounting Type
Through Hole
Maximum Power Dissipation
40 W
Minimum DC Current Gain
12
Transistor Configuration
Single
Maximum Collector Base Voltage
1000 V
Maximum Emitter Base Voltage
5 V
Pin Count
3
Number of Elements per Chip
1
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Dimensions
10.8 x 7.8 x 2.7mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
High Voltage Transistors, STMicroelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.