STMicroelectronics SCT SiC N-Channel MOSFET Module, 33 A, 1200 V Depletion, 7-Pin HIP247 3pins SCTW100N65G2AG

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
H²PAK-7
Package Type
HIP247 3pins
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.105 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC
€ 1.530,90
€ 51,03 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.898,32
€ 63,277 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
€ 1.530,90
€ 51,03 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 1.898,32
€ 63,277 Μονάδας (Σε μία ράγα των 30) Με Φ.Π.Α
30
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
33 A
Maximum Drain Source Voltage
1200 V
Series
SCT
Package Type
H²PAK-7
Package Type
HIP247 3pins
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
7
Maximum Drain Source Resistance
0.105 Ω
Channel Mode
Depletion
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Number of Elements per Chip
1
Transistor Material
SiC