STMicroelectronics STripFET H7 N-Channel MOSFET, 80 A, 100 V, 3-Pin D2PAK STB100N10F7

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 116,75
€ 4,67 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 144,77
€ 5,791 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
€ 116,75
€ 4,67 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 144,77
€ 5,791 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
25
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Καρούλι |
---|---|---|
25 - 45 | € 4,67 | € 23,35 |
50 - 120 | € 4,25 | € 21,25 |
125 - 245 | € 3,89 | € 19,45 |
250+ | € 3,76 | € 18,80 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
80 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
STripFET H7
Package Type
D2PAK (TO-263)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.5V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.5V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
9.35mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
61 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
4.6mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ H7 Series, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.