STMicroelectronics STripFET II N-Channel MOSFET, 60 A, 60 V, 3-Pin DPAK STD60NF06T4

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET II
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 2.875,00
€ 1,15 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.565,00
€ 1,426 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
€ 2.875,00
€ 1,15 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 3.565,00
€ 1,426 Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) Με Φ.Π.Α
2500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
60 V
Series
STripFET II
Package Type
DPAK (TO-252)
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
16 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4V
Minimum Gate Threshold Voltage
2V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Width
6.2mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
6.6mm
Typical Gate Charge @ Vgs
49 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Height
2.4mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel STripFET™ II, STMicroelectronics
STripFET™ MOSFETs with a wide breakdown voltage range offer ultra-low gate charge and low on-resistance.