Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.4mm
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-channel MDmesh™ K5 series, SuperMESH5™, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
3000
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 3000) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
3000
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
2.5 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Package Type
PowerFLAT 5 x 6
Series
MDmesh K5, SuperMESH5
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
2.5 Ω
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
38 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Length
6.35mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
5.4mm
Height
0.95mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
China
Λεπτομέρειες Προϊόντος