STMicroelectronics N-Channel MOSFET Transistor, 15 A, 3-Pin TO-220 STP26N60DM6

Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Χώρα Προέλευσης
China
€ 13,16
€ 6,58 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,32
€ 8,159 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
€ 13,16
€ 6,58 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 16,32
€ 8,159 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
2 - 8 | € 6,58 | € 13,16 |
10 - 18 | € 6,29 | € 12,58 |
20 - 48 | € 6,06 | € 12,12 |
50 - 98 | € 5,79 | € 11,58 |
100+ | € 5,61 | € 11,22 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
15 A
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
195 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
4.75V
Minimum Gate Threshold Voltage
3.25V
Maximum Power Dissipation
110 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
±25 V
Number of Elements per Chip
1
Width
4.6mm
Length
10.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
24 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1.6V
Height
15.75mm
Χώρα Προέλευσης
China