Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
€ 8,22
€ 8,22 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,19
€ 10,19 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
€ 8,22
€ 8,22 Μονάδας (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 10,19
€ 10,19 Μονάδας Με Φ.Π.Α
Standard
1
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας |
---|---|
1 - 9 | € 8,22 |
10 - 99 | € 7,07 |
100 - 499 | € 5,74 |
500 - 999 | € 5,64 |
1000+ | € 5,61 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
STMicroelectronicsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
11 A
Maximum Drain Source Voltage
800 V
Series
MDmesh
Package Type
TO-247
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
400 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
5V
Minimum Gate Threshold Voltage
3V
Maximum Power Dissipation
150 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-30 V, +30 V
Typical Gate Charge @ Vgs
43.6 nC @ 10 V
Width
5.15mm
Transistor Material
Si
Number of Elements per Chip
1
Length
15.75mm
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
20.15mm
Minimum Operating Temperature
-65 °C
Λεπτομέρειες Προϊόντος