Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
NexFET
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
2500
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
2500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
60 A
Maximum Drain Source Voltage
25 V
Series
NexFET
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
7.8 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.1V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.6V
Maximum Power Dissipation
3 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
6.5 nC @ 4.5 V
Transistor Material
Si
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Number of Elements per Chip
1
Width
3.4mm
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος