Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.55V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.1mm
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
2500
P.O.A.
Μονάδας (Σε ένα καρούλι των 2500) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
2500
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Maximum Drain Source Voltage
30 V
Package Type
SON
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
3.7 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.55V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.9V
Maximum Power Dissipation
3.2 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-8 V, +10 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Transistor Material
Si
Length
5.8mm
Typical Gate Charge @ Vgs
19 nC @ 4.5 V
Width
5mm
Number of Elements per Chip
1
Height
1.1mm
Series
NexFET
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Χώρα Προέλευσης
Malaysia
Λεπτομέρειες Προϊόντος