Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 12,58
€ 6,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,60
€ 7,80 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
€ 12,58
€ 6,29 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 15,60
€ 7,80 Μονάδας (Σε ένα πακέτο των 2) Με Φ.Π.Α
Standard
2
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Quantity Ποσότητα | Τιμή μονάδας | Per Πακέτο |
---|---|---|
2 - 24 | € 6,29 | € 12,58 |
26+ | € 5,19 | € 10,38 |
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
N
Maximum Continuous Drain Current
259 A
Maximum Drain Source Voltage
100 V
Series
NexFET
Package Type
TO-220
Mounting Type
Through Hole
Pin Count
3
Maximum Drain Source Resistance
3.2 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
3.2V
Minimum Gate Threshold Voltage
2.1V
Maximum Power Dissipation
375 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip
1
Length
10.67mm
Typical Gate Charge @ Vgs
118 nC @ 10 V
Maximum Operating Temperature
+175 °C
Width
4.7mm
Transistor Material
Si
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Height
16.51mm
Λεπτομέρειες Προϊόντος