Texas Instruments NexFET P-Channel MOSFET, 104 A, 20 V, 8-Pin VSON-CLIP CSD25404Q3T
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
NexFET
Package Type
VSON-CLIP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Λεπτομέρειες Προϊόντος
P-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
€ 5,60
€ 1,12 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,94
€ 1,389 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
€ 5,60
€ 1,12 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) (Exc. Vat)Χωρίς Φ.Π.Α
€ 6,94
€ 1,389 Μονάδας (διαθέσιμο σε ένα καρούλι) Με Φ.Π.Α
Συσκευασία Παραγωγής (Καρούλι)
5
Ημερομηνία αποθέματος προσωρινά μη διαθέσιμη
Παρακαλούμε ελέγξτε ξανά αργότερα.
Τεχνικό φυλλάδιο
Προδιαγραφές
Brand
Texas InstrumentsChannel Type
P
Maximum Continuous Drain Current
104 A
Maximum Drain Source Voltage
20 V
Series
NexFET
Package Type
VSON-CLIP
Mounting Type
Surface Mount
Pin Count
8
Maximum Drain Source Resistance
150 mΩ
Channel Mode
Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage
1.15V
Minimum Gate Threshold Voltage
0.65V
Maximum Power Dissipation
96 W
Transistor Configuration
Single
Maximum Gate Source Voltage
-12 V, +12 V
Width
3.4mm
Number of Elements per Chip
1
Length
3.4mm
Typical Gate Charge @ Vgs
10.8 nC @ 4.5 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Height
1.1mm
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Forward Diode Voltage
1V
Λεπτομέρειες Προϊόντος